Low Temp CVD for MEMS
Low temp Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) solutions for depositing uniform and stable SiN and SiO films for MEMS devices at temperatures <200°C.
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MEMS应用需要使用广泛的介质薄膜类型，并且随着MEMS器件越来越复杂，其要求也更加严格。SPTS的PECVD工艺腔体可以提供SiO、SiN和非晶硅薄膜的沉积，以满足MEMS制造的需求。
SPTS PECVD 的优势：
- SiOx 和 SiN 高沉积速率
- TEOS 可提高台阶覆盖率
- 通过双 RF （高频和低频）射频源进行应力调整
- 致密的低氢（H）含量的 SiN 薄膜可提供较低的湿法蚀刻率
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