Intro to HF Release Etch
HF etching is a dry vapor (plasma-less) etch process to remove sacrificial oxide layers, primarily used to release silicon MEMS structures.
下载应用于MEMS的蒸汽释放蚀刻
使用HF或XeF2的干法蒸汽蚀刻用于牺牲硅或氧化层的各向同性蚀刻去除，以具有较高刻蚀选择性和无粘连的方式释放弯曲部分或其他 MEMS 器件。其可提供一系列广泛的速率可控且无残留的刻蚀工艺。
蒸汽释放刻蚀技术的关键应用包括惯性传感器、反射镜阵列、谐振器、射频MEMS、微制动器和麦克风。
SPTS蒸气HF释放应用于MEMS制造的优点
- 干法刻蚀，可避免粘连和腐蚀
- 避免对干燥临界点的要求
- 高重复性，较宽工艺窗口下的稳定表现
- 与多种器件材料兼容，包括金属，尤其是无保护的铝镜面和接合焊盘
- 减压操作使蚀刻副产物保持在气相，确保最好的特征尺寸刻蚀能力并避免冷凝
SPTS XeF2释放应用于MEMS制造的优点
- 与大多数其他掩模和器件材料相比，各向同性腐蚀对硅、锗、钼和硅锗具有极高的刻蚀选择比
- 允许较长的底切，不会损伤非常薄的器件结构
- 能够使用低成本的光刻胶掩模
- 可用于切割和封装后释放MEMS结构
- 干法工艺-避免粘连和对对干燥临界点的要求
- 高重复性，较宽工艺窗口下的稳定表现
- 气相工艺，确保反应气体可通过小孔和间隙穿透，实现最强的特征尺寸刻蚀能力
相关产品信息
